Transistor TIP122
Dit past erbij
Beschrijving
Productoverzicht
- Darlington-transistor met interne basis-emitterweerstand
- Collector-emitterspanning tot 100 V
- Collectorstroom tot 5 A
- Stroomversterking van ongeveer 1000
- NPN-type voor schakeltoepassingen met laagspanningsstuursignalen
Productbeschrijving
De TIP122 is een NPN-Darlington-transistor voor het schakelen van belastingen in het lage tot middelhoge stroombereik. De interne opbouw met twee gekoppelde transistortrappen bereikt een stroomversterking van ongeveer 1000. Daardoor zijn stuursignalen in het milliampèrebereik al voldoende om stromen tot 5 A vrij te geven. Dat bespaart driver-IC's en aansturingslogica.
De maximale collector-emitterspanning van 100 V maakt rechtstreekse aansluiting op voedingsbronnen zoals labvoedingen of batterijpacks mogelijk. De interne basis-emitterweerstand vereenvoudigt de schakeling. Als NPN-type geleidt de transistor wanneer de basis positief wordt ten opzichte van de emitter.
Toepassingsgebieden zijn het schakelen van relais en stappenmotoren vanuit microcontrolleruitgangen, het aansturen van led-arrays, het regelen van ventilatormotoren en het snel in- en uitschakelen van magneten in experimentele opstellingen. Voor hogere eisen aan schakelsnelheid of zeer nauwkeurige stroomregelingen zijn gespecialiseerde gate-driver-IC's een betere keuze.
De transistor heeft een stroombegrenzingsweerstand aan de basis nodig. De waarde daarvan hangt af van het stuursignaal. Bij aansturing vanuit 5V-logica leidt een basisweerstand van ongeveer 1 kΩ betrouwbaar tot verzadiging. In het hoogfrequentiebereik boven enkele kHz neemt de schakelsnelheid af.
Veiligheidsaanwijzing
De TIP122 is uitsluitend geschikt voor het bouwen van prototypes en voor test- en ontwikkeldoeleinden. Werkzaamheden aan of in de buurt van elektrische installaties zijn voorbehouden aan elektrotechnische vakmensen; raadpleeg bij twijfel over de dimensionering van spanning en stroom vóór het opbouwen van de schakeling een elektrotechnisch vakman. Bij volledige belasting heeft de transistor voldoende gedimensioneerde warmteafvoer nodig, omdat het vermogensverlies aanzienlijk kan zijn.