{"product_id":"bs170-n-kanal-transistor-mosfet-60v-0-5a","title":"BS170 - transistor a canale N, MOSFET, 60V, 0.5A","description":"\u003ch3\u003ePanoramica del prodotto\u003c\/h3\u003e \u003cul\u003e \u003cli\u003eMOSFET a canale N con tensione massima drain-source di 60 V\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eCorrente di conduzione fino a 0,5 A con una corrente di gate di pochi milliampere\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eContenitore SOT-23 per circuiti salvaspazio\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eLa bassa resistenza di conduzione consente elevate frequenze di commutazione\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eCollegamento diretto possibile alle uscite logiche a 3,3 V e 5 V\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eTransistor a effetto di campo con capacità di gate ridotta\u003c\/li\u003e \u003c\/ul\u003e \u003ch3\u003eDescrizione del prodotto\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eQuesto MOSFET a canale N commuta carichi fino a 60 V di tensione drain-source e 0,5 A, controllato dalle uscite logiche digitali di un microcontrollore. Il componente richiede praticamente corrente di gate per la commutazione, quindi può essere pilotato direttamente dalle uscite di schede a 3,3 V e 5 V, senza bisogno di resistenze di limitazione o moduli driver.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eIl transistor utilizza il controllo a effetto di campo: un potenziale basso sul gate blocca il canale, mentre un potenziale alto lo apre e collega drain e source. La bassa resistenza di conduzione consente elevate frequenze di commutazione e genera una dissipazione termica minima alle correnti indicate.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eLe applicazioni comprendono attività di commutazione a bassa potenza, come il controllo di LED tramite sorgenti di corrente, l'attivazione di piccole bobine per l'azionamento di relè, la modulazione di uscite di segnale o le commutazioni binarie in prototipi di test e sviluppo. Il componente può essere utilizzato anche come stadio driver per MOSFET di potenza più grandi.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eIl contenitore SOT-23 dispone di tre terminali (gate, drain, source). Per il funzionamento oltre circa 30 V o in caso di carichi di corrente più elevati durante il funzionamento continuo, si consiglia un dissipatore o la scelta di un transistor più potente; la tensione inversa non deve superare 60 V.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eAvvertenza di sicurezza\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eQuando si commutano carichi induttivi come bobine o motori, sono necessari diodi di ricircolo per limitare i picchi di sovratensione. Questo componente è destinato esclusivamente alla realizzazione di prototipi e ad attività di test e sviluppo. Gli interventi sull'impianto elettrico o nelle sue vicinanze sono riservati a personale qualificato; in caso di dubbi, consultare un tecnico qualificato prima della messa in funzione.\u003c\/p\u003e \u003ch4\u003eContenuto della confezione\u003c\/h4\u003e \u003cul\u003e \u003cli\u003e1x BS170 - Transistor a canale N, MOSFET, 60 V, 0,5 A\u003c\/li\u003e \u003c\/ul\u003e","brand":"Funduino","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":66045682876765,"sku":"F23105919","price":1.67,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"url":"https:\/\/funduino.com\/it\/products\/transistor-mosfet-a-canale-n-bs170-60v-0-5a","provider":"Funduino","version":"1.0","type":"link"}