BS170 - transistor a canale N, MOSFET, 60V, 0.5A

Art.-n.: F23105919

BS170 - transistor a canale N, MOSFET, 60V, 0.5A

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Descrizione

Panoramica del prodotto

  • MOSFET a canale N con tensione massima drain-source di 60 V
  • Corrente di conduzione fino a 0,5 A con una corrente di gate di pochi milliampere
  • Contenitore SOT-23 per circuiti salvaspazio
  • La bassa resistenza di conduzione consente elevate frequenze di commutazione
  • Collegamento diretto possibile alle uscite logiche a 3,3 V e 5 V
  • Transistor a effetto di campo con capacità di gate ridotta

Descrizione del prodotto

Questo MOSFET a canale N commuta carichi fino a 60 V di tensione drain-source e 0,5 A, controllato dalle uscite logiche digitali di un microcontrollore. Il componente richiede praticamente corrente di gate per la commutazione, quindi può essere pilotato direttamente dalle uscite di schede a 3,3 V e 5 V, senza bisogno di resistenze di limitazione o moduli driver.

Il transistor utilizza il controllo a effetto di campo: un potenziale basso sul gate blocca il canale, mentre un potenziale alto lo apre e collega drain e source. La bassa resistenza di conduzione consente elevate frequenze di commutazione e genera una dissipazione termica minima alle correnti indicate.

Le applicazioni comprendono attività di commutazione a bassa potenza, come il controllo di LED tramite sorgenti di corrente, l'attivazione di piccole bobine per l'azionamento di relè, la modulazione di uscite di segnale o le commutazioni binarie in prototipi di test e sviluppo. Il componente può essere utilizzato anche come stadio driver per MOSFET di potenza più grandi.

Il contenitore SOT-23 dispone di tre terminali (gate, drain, source). Per il funzionamento oltre circa 30 V o in caso di carichi di corrente più elevati durante il funzionamento continuo, si consiglia un dissipatore o la scelta di un transistor più potente; la tensione inversa non deve superare 60 V.

Avvertenza di sicurezza

Quando si commutano carichi induttivi come bobine o motori, sono necessari diodi di ricircolo per limitare i picchi di sovratensione. Questo componente è destinato esclusivamente alla realizzazione di prototipi e ad attività di test e sviluppo. Gli interventi sull'impianto elettrico o nelle sue vicinanze sono riservati a personale qualificato; in caso di dubbi, consultare un tecnico qualificato prima della messa in funzione.

Contenuto della confezione

  • 1x BS170 - Transistor a canale N, MOSFET, 60 V, 0,5 A

Dati tecnici

Avanzato 10 Angaben
Produktart
MOSFET a canale N
Hersteller
Funduino
Taktfrequenz (MHz)
1
Nennstrom (A)
0,5
max. Spannungsfestigkeit (V)
60
Anschluss
Fili di collegamento
Anzahl Kontakte
3
Gehäusematerial
plastica
Farbe
Nero
Temperaturbereich
-55 a 150 °C
Consigli

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