BS170 - transistor à canal N, MOSFET, 60V, 0.5A

Réf. art. : F23105919

BS170 - transistor à canal N, MOSFET, 60V, 0.5A

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Description

Présentation du produit

  • MOSFET à canal N avec une tension drain-source maximale de 60 V
  • Courant de conduction jusqu'à 0,5 A avec un courant de grille de quelques milliampères
  • Boîtier SOT-23 pour des circuits peu encombrants
  • La faible résistance à l'état passant permet des fréquences de commutation élevées
  • Connexion directe possible aux sorties logiques 3,3 V et 5 V
  • Transistor à effet de champ à jonction avec une faible capacité de grille

Description du produit

Ce MOSFET à canal N commute des charges jusqu'à 60 V de tension drain-source et 0,5 A, commandé par les sorties logiques numériques d'un microcontrôleur. Le composant ne nécessite pratiquement aucun courant de grille pour commuter, ce qui permet de le piloter directement avec les sorties de cartes 3,3 V et 5 V, sans résistances en série ni modules de pilotage.

Le transistor utilise une commande par effet de champ : un potentiel faible sur la grille bloque le canal, tandis qu'un potentiel élevé l'ouvre et relie le drain à la source. La faible résistance à l'état passant autorise des fréquences de commutation élevées et ne génère qu'une dissipation thermique minimale aux courants indiqués.

Il convient aux tâches de commutation de faible puissance, par exemple pour commander des LED via des sources de courant, activer de petites bobines pour le déclenchement de relais, moduler des sorties de signal ou réaliser des commutations binaires dans des montages de test et de développement. Le composant peut également servir d'étage de commande pour des MOSFET de puissance plus importants.

Le boîtier SOT-23 possède trois connexions (gate, drain, source). Pour un fonctionnement au-delà d'environ 30 V ou en cas de courants plus élevés en fonctionnement continu, il est recommandé d'utiliser un dissipateur thermique ou de choisir un transistor plus puissant ; la tension inverse ne doit pas dépasser 60 V.

Consigne de sécurité

Lors de la commutation de charges inductives telles que des bobines ou des moteurs, des diodes de roue libre sont nécessaires afin de limiter les pics de surtension. Ce composant est destiné exclusivement à la réalisation de prototypes ainsi qu'à des fins de test et de développement. Les travaux sur ou à proximité d'une installation électrique sont réservés aux électriciens qualifiés ; en cas de doute, consultez un électricien qualifié avant la mise en service.

Contenu de la livraison

  • 1x BS170 - Transistor à canal N, MOSFET, 60V, 0.5A

Caractéristiques techniques

Base 2 Angaben
Produktart
MOSFET à canal N
Hersteller
Funduino
Développer 8 Angaben
Taktfrequenz (MHz)
1
Nennstrom (A)
0,5
max. Spannungsfestigkeit (V)
60
Anschluss
Fils de connexion
Anzahl Kontakte
3
Gehäusematerial
Plastique
Farbe
Noir
Temperaturbereich
-55 à 150 °C
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