{"product_id":"bs170-n-kanal-transistor-mosfet-60v-0-5a","title":"BS170 MOSFET - N-Kanal Transistor, 60 V, 0,5 A","description":"\u003ch3\u003eProduktübersicht\u003c\/h3\u003e \u003cul\u003e \u003cli\u003eN-Kanal-MOSFET mit maximal 60 V Drain-Source-Spannung\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eDurchlassstrom bis 0,5 A bei Gate-Strom von wenigen Milliampere\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eSOT-23-Gehäuse für platzsparende Schaltungen\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eGeringer Einschaltwiderstand ermöglicht hohe Schaltfrequenzen\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eDirekter Anschluss an 3,3-V- und 5-V-Logikausgänge möglich\u003c\/li\u003e \u003cli\u003eSperrschicht-Feldeffekt-Transistor mit niedrigem Gatekapazität\u003c\/li\u003e \u003c\/ul\u003e \u003ch3\u003eProduktbeschreibung\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDieser N-Kanal-MOSFET schaltet Lasten mit bis zu 60 V Drain-Source-Spannung und 0,5 A durch, gesteuert von digitalen Logikausgängen eines Mikrocontrollers. Das Bauteil benötigt praktisch keinen Gate-Strom zum Umschalten, weshalb Ausgänge von 3,3-V- und 5-V-Boards direkt angesteuert werden können, ohne dass Vorwiderstände oder Treibermodule nötig wären.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eDer Transistor nutzt Feldeffekt-Steuerung, ein niedriges Potential am Gate sperrt den Kanal, ein hohes Potential öffnet ihn und verbindet Drain und Source. Der geringe Einschaltwiderstand erlaubt schnelle Schaltfrequenzen und erzeugt nur minimale Wärmeverlustleistung bei den genannten Strömen.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eEinsätze sind Schaltaufgaben im unteren Leistungsbereich, etwa Steuerung von LEDs über Stromquellen, Anschaltung kleiner Spulen für Relais-Trigger, Modulation von Signalausgängen oder binäre Schaltvorgänge in Test- und Entwicklungsaufbauten. Auch als Treiberstufe für größere Leistungs-MOSFETs kommt das Bauteil in Betracht.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eDas SOT-23-Gehäuse hat drei Anschlüsse (Gate, Drain, Source). Für Betrieb oberhalb von etwa 30 V oder bei höheren Strombelastungen im Dauerbetrieb empfiehlt sich ein Kühlkörper oder die Wahl eines leistungsstärkeren Transistors; die Sperrspannung darf 60 V nicht überschreiten.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eSicherheitshinweis\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eBei Schaltung induktiver Lasten wie Spulen oder Motoren sind Freilauf-Dioden erforderlich, um Überspannungsspitzen zu begrenzen. Dieses Bauteil dient ausschließlich dem Aufbau von Prototypen sowie Test- und Entwicklungszwecken. Arbeiten an oder nahe der Elektroinstallation sind Elektrofachkräften vorbehalten, bei Unklarheiten vor der Inbetriebnahme eine Elektrofachkraft konsultieren.\u003c\/p\u003e \u003ch4\u003eLieferumfang\u003c\/h4\u003e \u003cul\u003e \u003cli\u003e1x BS170 - N-Kanal Transistor, MOSFET, 60V, 0.5A\u003c\/li\u003e \u003c\/ul\u003e","brand":"Funduino","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":66045682876765,"sku":"F23105919","price":1.67,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"url":"https:\/\/funduino.com\/en\/products\/bs170-n-channel-transistor-mosfet-60v-0-5a","provider":"Funduino","version":"1.0","type":"link"}